真空镀膜设备

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Planets

2)蒸镀过程可编制工艺流程,实现手动、半自动、自动化控制

Mercury

3)蒸发源、基片台以及掩膜机构等可根据用户工艺需求进行深度定制; 4)可实现多源有机、无机共蒸镀,可配多探头监控膜生长速率; 5)可配置离子源,对基片表面进行清洗

Mercury

1)基片可自转及公转,膜材可旋转、切换,实现均匀镀膜

Mercury

蒸发镀膜设备

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蒸发镀膜是在真空条件下通过电阻或电子束加热镀膜材料,使其原子或分子从表面蒸出,沉积到基片表面从而形成薄膜的技术,该技术具有使用范围广、薄膜厚度高度可控、技术成熟、成本低廉等特点。目前,真空蒸镀技术已经广泛应用于OLED、有机光伏、光学膜、新型半导体、装饰镀膜等领域,为一种不可缺少的镀膜技术。

设计参数

磁控溅射镀膜设备

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溅射镀膜是在真空条件下,利用荷能粒子轰击靶表面,使被轰击出的粒子在基片上沉积的技术。溅射镀膜具有膜层和基体的附着力强,膜层均匀性好等优点,适合各种金属、氧化物、半导体薄膜的制备,广泛应用于光伏、LED、微电子、硬质薄膜等领域。

设计参数

Planets

5)软硬件系统稳定可靠,人机交互界面友好,容错性能强,自动化水平高

Mercury

1)溅射源可选直流、中频、射频、脉冲直流、直流偏压等多种配置

Mercury

2)独到的靶磁路设计和布气设计,靶材利用率高、溅射效率快、膜层均匀性好; 3)支持圆靶、矩形靶、单靶、多靶、孪生靶、直冷靶、间冷靶; 4)基片可水冷、可加热、温区均匀性好,最高可加热至1000℃,亦可实现自转以及公转

Mercury
Planets

6)可选用包括准分子激光器、固体紫外激光器在内的多种光源

Mercury

5)可提供光路扫描设计

Mercury

1)可搭配激光扫描及靶旋转系统; 2)基片可配加热及水冷系统,最高可加热至1000℃; 3)腔体水冷可防止真空室外壳过热; 4)靶基距可调整

Mercury

脉冲激光沉积镀膜设备

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脉冲激光沉积是采用高功率脉冲激光对材料进行蒸发,并在基底上形成薄膜的方法。该技术适用面非常广,从单质、氧化物、氮化物到高分子均能沉积;并且由于该技术可精确控制化合物薄膜中各元素的相对比例,尤其适合沉积高精度的多元化合物薄膜,先广泛用于高温超导、铁电、压电、生物陶瓷、光磁记录等薄膜的制备。

设计参数

离子束辅助沉积设备

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离子束辅助沉积是指在气相沉积镀膜的同时,采用低能离子束进行轰击,从而形成单质或化合物薄膜的技术,还可通过反射式高能电子衍射仪(RHEED)进行在线结构分析。该方法制备的薄膜具有高精度、高纯度、重复性和一致性好的优点,广泛应用于光学膜、传感器、光伏、半导体等领域。

设计参数

Planets

2)可采用低温泵、溅射离子泵或钛升华泵实现高真空或超高真空系统; 3)多达6路的进气控制系统,满足各离子源的用气需求; 4)可优化溅射源、辅助源及靶的空间定位和装卡设计; 5)离子源可选矩形、圆形

Mercury

1)反射式高能电子衍射仪(RHEED)系统协同设计,可实现在线薄膜质量分析

Mercury
Planets

6)软件操作友好方便,具有一键抽真空、一键洗气功能,同时具有互锁功能,设备安全可靠

Mercury

1)极限真空较高,抽真空速率快,兼顾洗气功能; 2)可测最低氧分压为10-15 Pa; 3)可设定多组复杂升温程序,最高升温速率可达1000℃/h,控温可达±0.1℃; 4)隔热腔为多层金属反射材料铆接,可根据不同退火温度选择保温材料,腔内保温效果好,加热均匀; 5)可根据客户要求,制作旋转工件台、增加快速淬火功能

Mercury

真空退火设备

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真空退火炉是一种在保护气氛控制下进行热处理的多用炉,主要应用于各种金属材料或非金属材料的真空退火和去应力处理,适用于新材料开发、质量检测及军工、电子、医药、特种材料等的生产和实验。

设计参数

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2)蒸镀过程可编制工艺流程,实现手动、半自动、自动化控制

Mercury

3)蒸发源、基片台以及掩膜机构等可根据用户工艺需求进行深度定制; 4)可实现多源有机、无机共蒸镀,可配多探头监控膜生长速率; 5)可配置离子源,对基片表面进行清洗

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1)基片可自转及公转,膜材可旋转、切换,实现均匀镀膜

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蒸发镀膜是在真空条件下通过电阻或电子束加热镀膜材料,使其原子或分子从表面蒸出,沉积到基片表面从而形成薄膜的技术,该技术具有使用范围广、薄膜厚度高度可控、技术成熟、成本低廉等特点。目前,真空蒸镀技术已经广泛应用于OLED、有机光伏、光学膜、新型半导体、装饰镀膜等领域,为一种不可缺少的镀膜技术。

设计参数

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5)软硬件系统稳定可靠,人机交互界面友好,容错性能强,自动化水平高

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1)溅射源可选直流、中频、射频、脉冲直流、直流偏压等多种配置

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2)独到的靶磁路设计和布气设计,靶材利用率高、溅射效率快、膜层均匀性好; 3)支持圆靶、矩形靶、单靶、多靶、孪生靶、直冷靶、间冷靶; 4)基片可水冷、可加热、温区均匀性好,最高可加热至1000℃,亦可实现自转以及公转

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设计参数

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6)可选用包括准分子激光器、固体紫外激光器在内的多种光源

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5)可提供光路扫描设计

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1)可搭配激光扫描及靶旋转系统; 2)基片可配加热及水冷系统,最高可加热至1000℃; 3)腔体水冷可防止真空室外壳过热; 4)靶基距可调整

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脉冲激光沉积镀膜设备

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脉冲激光沉积是采用高功率脉冲激光对材料进行蒸发,并在基底上形成薄膜的方法。该技术适用面非常广,从单质、氧化物、氮化物到高分子均能沉积;并且由于该技术可精确控制化合物薄膜中各元素的相对比例,尤其适合沉积高精度的多元化合物薄膜,先广泛用于高温超导、铁电、压电、生物陶瓷、光磁记录等薄膜的制备。

设计参数

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2)可采用低温泵、溅射离子泵或钛升华泵实现高真空或超高真空系统; 3)多达6路的进气控制系统,满足各离子源的用气需求; 4)可优化溅射源、辅助源及靶的空间定位和装卡设计; 5)离子源可选矩形、圆形

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1)反射式高能电子衍射仪(RHEED)系统协同设计,可实现在线薄膜质量分析

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离子束辅助沉积设备

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离子束辅助沉积是指在气相沉积镀膜的同时,采用低能离子束进行轰击,从而形成单质或化合物薄膜的技术,还可通过反射式高能电子衍射仪(RHEED)进行在线结构分析。该方法制备的薄膜具有高精度、高纯度、重复性和一致性好的优点,广泛应用于光学膜、传感器、光伏、半导体等领域。

设计参数

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6)软件操作友好方便,具有一键抽真空、一键洗气功能,同时具有互锁功能,设备安全可靠

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1)极限真空较高,抽真空速率快,兼顾洗气功能; 2)可测最低氧分压为10-15 Pa; 3)可设定多组复杂升温程序,最高升温速率可达1000℃/h,控温可达±0.1℃; 4)隔热腔为多层金属反射材料铆接,可根据不同退火温度选择保温材料,腔内保温效果好,加热均匀; 5)可根据客户要求,制作旋转工件台、增加快速淬火功能

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真空退火设备

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真空退火炉是一种在保护气氛控制下进行热处理的多用炉,主要应用于各种金属材料或非金属材料的真空退火和去应力处理,适用于新材料开发、质量检测及军工、电子、医药、特种材料等的生产和实验。

设计参数

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